Fabrikant Productnummer:
SI1011X-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SI1011X-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET P-CH 12V SC89-3
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 12 V 480mA (Ta) 190mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
Voorraad:
12913409
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SI1011X-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
-
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
12 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
480mA (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
1.2V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
640mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
62 pF @ 6 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
190mW (Ta)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
SC-89-3
Pakket / Doos
SC-89, SOT-490
Basis productnummer
SI1011
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SI1011X-T1-GE3DKR
SI1011X-T1-GE3CT
SI1011X-T1-GE3TR
SI1011XT1GE3
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SI2329DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
IRFBC30ASTRLPBF
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
IRL530S
MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
