SI1480BDH-T1-GE3
Fabrikant Productnummer:

SI1480BDH-T1-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SI1480BDH-T1-GE3-DG

Beschrijving:

N-CHNNEL 100-V (D-S) MOSFET SC70
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 1.8A (Ta), 2.38A (Tc) 1.5W (Ta), 2.6W (Tc) Surface Mount SC-70-6

Voorraad:

2965 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13001164
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SI1480BDH-T1-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
1.8A (Ta), 2.38A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
212mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
206 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
1.5W (Ta), 2.6W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
SC-70-6
Pakket / Doos
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Basis productnummer
SI1480

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
742-SI1480BDH-T1-GE3CT
742-SI1480BDH-T1-GE3DKR
742-SI1480BDH-T1-GE3TR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
goford-semiconductor

630AT

N200V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<3

nexperia

PMCA14UNYL

SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE

diodes

DMWS120H100SM4

SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4

goford-semiconductor

G110N06T

MOSFET N-CH 60V 110A TO-220