Fabrikant Productnummer:
SI3442BDV-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SI3442BDV-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 20 V 3A (Ta) 860mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Voorraad:
12917462
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SI3442BDV-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
20 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
2.5V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
57mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±12V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
295 pF @ 10 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
860mW (Ta)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
6-TSOP
Pakket / Doos
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Basis productnummer
SI3442
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
SI3442BDV-T1-E3
Fabrikant
Vishay Siliconix
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
26929
DEELNUMMER
SI3442BDV-T1-E3-DG
EENHEIDSPRIJS
0.17
SUBSTITUTIE TYPE
Parametric Equivalent
DEELNUMMER
SI3442BDV-T1-BE3
Fabrikant
Vishay Siliconix
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
1507
DEELNUMMER
SI3442BDV-T1-BE3-DG
EENHEIDSPRIJS
0.17
SUBSTITUTIE TYPE
Parametric Equivalent
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SIR406DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
SI3433BDV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 4.3A 6TSOP
SQJ886EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
