Fabrikant Productnummer:
SI4178DY-T1-E3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SI4178DY-T1-E3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 30 V 12A (Tc) 2.4W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Voorraad:
12917479
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SI4178DY-T1-E3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
-
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
21mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
405 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2.4W (Ta), 5W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
8-SOIC
Pakket / Doos
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis productnummer
SI4178
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,500
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
SI4178DY-T1-GE3
Fabrikant
Vishay Siliconix
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
2375
DEELNUMMER
SI4178DY-T1-GE3-DG
EENHEIDSPRIJS
0.18
SUBSTITUTIE TYPE
Parametric Equivalent
DEELNUMMER
CWDM3011N TR13 PBFREE
Fabrikant
Central Semiconductor Corp
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
2748
DEELNUMMER
CWDM3011N TR13 PBFREE-DG
EENHEIDSPRIJS
0.17
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SI4628DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 38A 8SO
SI4384DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
SIRA28BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 18A/38A PPAK SO8
