Fabrikant Productnummer:
SI5406CDC-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SI5406CDC-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 12 V 6A (Tc) 2.3W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Voorraad:
12965588
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SI5406CDC-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
-
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
12 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
1.8V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
20mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 8 V
Vgs (Max.)
±8V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 6 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2.3W (Ta), 5.7W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
1206-8 ChipFET™
Pakket / Doos
8-SMD, Flat Lead
Basis productnummer
SI5406
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SI5406CDC-T1-GE3DKR
SI5406CDC-T1-GE3CT
SI5406CDC-T1-GE3TR
SI5406CDCT1GE3
SI5406CDC-T1-GE3TR-N
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
SI5418DU-T1-GE3
Fabrikant
Vishay Siliconix
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
1882
DEELNUMMER
SI5418DU-T1-GE3-DG
EENHEIDSPRIJS
0.45
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
LSIC1MO120G0160
MOSFET SIC 1200V 14A TO247-4L
SI2323DS-T1
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
SIHFR1N60A-GE3
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA
