SI7617DN-T1-GE3
Fabrikant Productnummer:

SI7617DN-T1-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SI7617DN-T1-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 30 V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Voorraad:

207195 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12914516
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SI7617DN-T1-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
12.3mOhm @ 13.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1800 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® 1212-8
Pakket / Doos
PowerPAK® 1212-8
Basis productnummer
SI7617

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
SI7617DNT1GE3
SI7617DN-T1-GE3CT
SI7617DN-T1-GE3DKR
SI7617DN-T1-GE3TR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

IRLIZ14GPBF

MOSFET N-CH 60V 8A TO220-3

vishay-siliconix

SI4483EDY-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 10A 8SO

vishay-siliconix

IRFBE20STRR

MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

vishay-siliconix

SI2306BDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3