Fabrikant Productnummer:
SIB413DK-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIB413DK-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 20 V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
Voorraad:
12966467
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIB413DK-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
-
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
20 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
2.5V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
75mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
7.63 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
±12V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
357 pF @ 10 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SC-75-6
Pakket / Doos
PowerPAK® SC-75-6
Basis productnummer
SIB413
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SIB413DK-T1-GE3CT
SIB413DKT1GE3
SIB413DK-T1-GE3DKR
SIB413DK-T1-GE3TR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
SIB433EDK-T1-GE3
Fabrikant
Vishay Siliconix
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
0
DEELNUMMER
SIB433EDK-T1-GE3-DG
EENHEIDSPRIJS
0.14
SUBSTITUTIE TYPE
Direct
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
MCAC80N10Y-TP
MOSFET N-CH 100V 80A DFN5060
SUD35N10-26P-GE3
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
IXTQ48N65X2M
DISCRETE MOSFET 48A 650V X2 TO3P