Fabrikant Productnummer:
SIDR680DP-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIDR680DP-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 80 V 32.8A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Voorraad:
20835 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12916595
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIDR680DP-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET® Gen IV
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
80 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
32.8A (Ta), 100A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
7.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
2.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
5150 pF @ 40 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SO-8DC
Pakket / Doos
PowerPAK® SO-8
Basis productnummer
SIDR680
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SIDR680DP-T1-GE3CT
SIDR680DP-T1-GE3TR
SIDR680DP-T1-GE3DKR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
Vendor Undefined
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SIA438EDJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6
SIR876ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
IXFK32N50Q
MOSFET N-CH 500V 32A TO264AA
