SIE844DF-T1-GE3
Fabrikant Productnummer:

SIE844DF-T1-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SIE844DF-T1-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 30V 44.5A 10POLARPAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 30 V 44.5A (Tc) 5.2W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (U)

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online
12916320
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SIE844DF-T1-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
-
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
44.5A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
7mOhm @ 12.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2150 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
5.2W (Ta), 25W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
10-PolarPAK® (U)
Pakket / Doos
10-PolarPAK® (U)
Basis productnummer
SIE844

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SQS482ENW-T1_GE3

MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8W

vishay-siliconix

SUM110N04-2M1P-E3

MOSFET N-CH 40V 29A/110A TO263

vishay-siliconix

SIS476DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SIHG28N65EF-GE3

MOSFET N-CH 650V 28A TO247AC