Fabrikant Productnummer:
SIHA12N60E-E3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIHA12N60E-E3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Voorraad:
923 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12918530
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIHA12N60E-E3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
380mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
937 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
33W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220 Full Pack
Pakket / Doos
TO-220-3 Full Pack
Basis productnummer
SIHA12
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Andere namen
SIHA12N60E-E3CT
SIHA12N60E-E3CT-DG
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SIR870DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
SI4630DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 40A 8SO
SI4836DY-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
