SIHA14N60E-GE3
Fabrikant Productnummer:

SIHA14N60E-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SIHA14N60E-GE3-DG

Beschrijving:

N-CHANNEL 600V
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 147W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack

Voorraad:

1696 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12987232
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SIHA14N60E-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
E
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
309mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1205 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
147W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220 Full Pack
Pakket / Doos
TO-220-3 Full Pack

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
50
Andere namen
742-SIHA14N60E-GE3CT-DG
742-SIHA14N60E-GE3DKRINACTIVE
742-SIHA14N60E-GE3TR
742-SIHA14N60E-GE3CTINACTIVE
742-SIHA14N60E-GE3TR-DG
742-SIHA14N60E-GE3CT
742-SIHA14N60E-GE3

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
panjit

PJQ1916_R1_00201

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

diodes

DMT64M1LPSW-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

diodes

DMN3066L-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

vishay-siliconix

SIS184LDN-T1-GE3

N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE