SIHA15N80AE-GE3
Fabrikant Productnummer:

SIHA15N80AE-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SIHA15N80AE-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 800V 6A TO220
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack

Voorraad:

975 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12978206
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SIHA15N80AE-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tube
Reeks
E
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
800 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
350mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1093 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
33W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220 Full Pack
Pakket / Doos
TO-220-3 Full Pack
Basis productnummer
SIHA15

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
1,000
Andere namen
742-SIHA15N80AE-GE3

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
fairchild-semiconductor

FQAF16N50

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

goford-semiconductor

G50N03K

MOSFET N-CH 30V 65A TO-252

goford-semiconductor

GC11N65F

N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4

goford-semiconductor

GC11N65F

MOSFET N-CH 650V 11A TO-220F