SIHB18N60E-GE3
Fabrikant Productnummer:

SIHB18N60E-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SIHB18N60E-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 600V 18A TO263
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online
12787122
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SIHB18N60E-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
202mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1640 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
179W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-263 (D2PAK)
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
SIHB18

Datasheet & Documenten

Technische fiches
SIHB18N60E
Datasheets
SIHB18N60E-GE3
HTML Gegevensblad
SIHB18N60E-GE3-DG

Aanvullende informatie

Standaard pakket
1,000

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
IXTA24N65X2
Fabrikant
IXYS
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
50
DEELNUMMER
IXTA24N65X2-DG
EENHEIDSPRIJS
2.52
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
STB21N65M5
Fabrikant
STMicroelectronics
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
1748
DEELNUMMER
STB21N65M5-DG
EENHEIDSPRIJS
2.31
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
IXFA22N65X2
Fabrikant
IXYS
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
250
DEELNUMMER
IXFA22N65X2-DG
EENHEIDSPRIJS
2.56
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
STB28N60M2
Fabrikant
STMicroelectronics
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
0
DEELNUMMER
STB28N60M2-DG
EENHEIDSPRIJS
1.41
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
IPB60R165CPATMA1
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
3135
DEELNUMMER
IPB60R165CPATMA1-DG
EENHEIDSPRIJS
2.21
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SIHH24N65EF-T1-GE3

MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8

vishay-siliconix

SIHG22N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC

vishay-siliconix

SQM90142E_GE3

MOSFET N-CH 200V 95A TO263

vishay-siliconix

SIHB11N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK