Fabrikant Productnummer:
SIHD6N80E-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIHD6N80E-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 800 V 5.4A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Voorraad:
2062 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12787169
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIHD6N80E-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Bulk
Reeks
E
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
800 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
5.4A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
940mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
827 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
78W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-252AA
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis productnummer
SIHD6
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
TK5P60W,RVQ
Fabrikant
Toshiba Semiconductor and Storage
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
9180
DEELNUMMER
TK5P60W,RVQ-DG
EENHEIDSPRIJS
0.68
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SUP85N10-10P-GE3
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
SQJA06EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 57A PPAK SO-8
SIHD180N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA
