SUP85N10-10P-GE3
Fabrikant Productnummer:

SUP85N10-10P-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SUP85N10-10P-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 227W (Tc) Through Hole TO-220AB

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online
12787171
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SUP85N10-10P-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
-
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
85A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
10mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
4660 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.75W (Ta), 227W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220AB
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
SUP85

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Packaging Information
Datasheets
SUP85N10-10P-GE3
HTML Gegevensblad
SUP85N10-10P-GE3-DG

Aanvullende informatie

Standaard pakket
500

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
FDP100N10
Fabrikant
Fairchild Semiconductor
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
2970
DEELNUMMER
FDP100N10-DG
EENHEIDSPRIJS
1.72
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
STP100N10F7
Fabrikant
STMicroelectronics
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
88
DEELNUMMER
STP100N10F7-DG
EENHEIDSPRIJS
1.11
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
IXTP130N10T
Fabrikant
IXYS
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
0
DEELNUMMER
IXTP130N10T-DG
EENHEIDSPRIJS
1.59
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
PSMN009-100P,127
Fabrikant
NXP Semiconductors
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
291
DEELNUMMER
PSMN009-100P,127-DG
EENHEIDSPRIJS
1.44
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
FDP090N10
Fabrikant
onsemi
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
12259
DEELNUMMER
FDP090N10-DG
EENHEIDSPRIJS
1.50
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SQJA06EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 57A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHD180N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA

vishay-siliconix

SUD50P04-08-GE3

MOSFET P-CH 40V 50A TO252

vishay-siliconix

SIHD6N62ET1-GE3

MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA