Fabrikant Productnummer:
SIHG40N60E-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIHG40N60E-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 40A (Tc) 329W (Tc) Through Hole TO-247AC
Voorraad:
809 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12787022
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIHG40N60E-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tube
Reeks
E
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
75mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
197 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
4436 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
329W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-247AC
Pakket / Doos
TO-247-3
Basis productnummer
SIHG40
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
25
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
Vendor Undefined
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SIHH100N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 28A PPAK 8 X 8
SIJ800DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8
SIHP065N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB
