Fabrikant Productnummer:
SIHG70N60AEF-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIHG70N60AEF-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 60A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247AC
Voorraad:
447 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12786887
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIHG70N60AEF-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tube
Reeks
EF
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
41mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
410 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
5348 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
417W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-247AC
Pakket / Doos
TO-247-3
Basis productnummer
SIHG70
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
500
Andere namen
SIHG70N60AEF-GE3-DG
742-SIHG70N60AEF-GE3
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
IPW60R045CPAFKSA1
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
83
DEELNUMMER
IPW60R045CPAFKSA1-DG
EENHEIDSPRIJS
12.42
SUBSTITUTIE TYPE
Direct
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SIHB33N60ET5-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A TO263
SUP90N06-6M0P-E3
MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
SUB75P03-07-E3
MOSFET P-CH 30V 75A TO263
