SIHP28N65EF-GE3
Fabrikant Productnummer:

SIHP28N65EF-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SIHP28N65EF-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 650V 28A TO220AB
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 28A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online
12786576
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SIHP28N65EF-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
117mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
146 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
3249 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
250W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220AB
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
SIHP28

Datasheet & Documenten

Technische fiches
SIHP28N65EF
Datasheets
SIHP28N65EF-GE3
HTML Gegevensblad
SIHP28N65EF-GE3-DG

Aanvullende informatie

Standaard pakket
50

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
FCP099N60E
Fabrikant
onsemi
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
390
DEELNUMMER
FCP099N60E-DG
EENHEIDSPRIJS
2.76
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
IPP60R099CPXKSA1
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
1235
DEELNUMMER
IPP60R099CPXKSA1-DG
EENHEIDSPRIJS
4.08
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
TK25E60X,S1X
Fabrikant
Toshiba Semiconductor and Storage
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
13
DEELNUMMER
TK25E60X,S1X-DG
EENHEIDSPRIJS
1.80
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
STP40N65M2
Fabrikant
STMicroelectronics
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
37
DEELNUMMER
STP40N65M2-DG
EENHEIDSPRIJS
2.57
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SUM110P06-07L-E3

MOSFET P-CH 60V 110A TO263

vishay-siliconix

SIHP25N60EFL-GE3

MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB

vishay-siliconix

SIDR622DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 64.6A PPAK

vishay-siliconix

SIHF30N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 29A TO220