Fabrikant Productnummer:
SIHU3N50D-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIHU3N50D-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 500V 3A TO251
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 500 V 3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole TO-251AA
Voorraad:
12917728
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIHU3N50D-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
500 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
3.2Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
175 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
69W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-251AA
Pakket / Doos
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis productnummer
SIHU3
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Product Tekeningen
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SI7421DN-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 6.4A PPAK1212-8
SI2399DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
NVMYS3D3N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 26A/133A 4LFPAK
