Fabrikant Productnummer:
SIR5102DP-T1-RE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIR5102DP-T1-RE3-DG
Beschrijving:
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 27A (Ta), 110A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Voorraad:
5853 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12964722
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIR5102DP-T1-RE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET® Gen V
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
27A (Ta), 110A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
7.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
4.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2850 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SO-8
Pakket / Doos
PowerPAK® SO-8
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
742-SIR5102DP-T1-RE3CT
742-SIR5102DP-T1-RE3DKR
742-SIR5102DP-T1-RE3TR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SI1405BDH-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
SIJH800E-T1-GE3
N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
PJC7438_R1_00001
SOT-323, MOSFET
