Fabrikant Productnummer:
SIR516DP-T1-RE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIR516DP-T1-RE3-DG
Beschrijving:
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 16.8A (Ta), 63.7A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Voorraad:
12968163
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIR516DP-T1-RE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
16.8A (Ta), 63.7A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
7.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
8mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1920 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
5W (Ta), 71.4W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SO-8
Pakket / Doos
PowerPAK® SO-8
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
742-SIR516DP-T1-RE3CT
742-SIR516DP-T1-RE3TR
742-SIR516DP-T1-RE3DKR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
RS6P100BHTB1
Fabrikant
Rohm Semiconductor
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
2725
DEELNUMMER
RS6P100BHTB1-DG
EENHEIDSPRIJS
1.35
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
BUK7E5R2-100E,127
NEXPERIA BUK7E5R2-100E - 120A, 1
SQA410CEJW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 20 V (D-S)
NTNS4CS69NTCG
NTNS4CS69NTCG - TRENCH 6 30V NFE
