SIR836DP-T1-GE3
Fabrikant Productnummer:

SIR836DP-T1-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SIR836DP-T1-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 40 V 21A (Tc) 3.9W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Voorraad:

12918163
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SIR836DP-T1-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
40 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
19mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
600 pF @ 20 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SO-8
Pakket / Doos
PowerPAK® SO-8
Basis productnummer
SIR836

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
SIR836DP-T1-GE3CT
SIR836DPT1GE3
SIR836DP-T1-GE3TR
SIR836DP-T1-GE3DKR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
RS1E350GNTB
Fabrikant
Rohm Semiconductor
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
2500
DEELNUMMER
RS1E350GNTB-DG
EENHEIDSPRIJS
1.02
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
RSH065N06TB1
Fabrikant
Rohm Semiconductor
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
968
DEELNUMMER
RSH065N06TB1-DG
EENHEIDSPRIJS
0.47
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
RS1G150MNTB
Fabrikant
Rohm Semiconductor
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
0
DEELNUMMER
RS1G150MNTB-DG
EENHEIDSPRIJS
0.32
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
RS1G120MNTB
Fabrikant
Rohm Semiconductor
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
18744
DEELNUMMER
RS1G120MNTB-DG
EENHEIDSPRIJS
0.15
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
RQ3E180GNTB
Fabrikant
Rohm Semiconductor
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
4770
DEELNUMMER
RQ3E180GNTB-DG
EENHEIDSPRIJS
0.21
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SUD17N25-165-E3

MOSFET N-CH 250V 17A TO252

vishay-siliconix

SQM120N10-3M8_GE3

MOSFET N-CH 100V 120A TO263

nexperia

PSMN014-80YLX

MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56

vishay-siliconix

SI6415DQ-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP