Huis
Producten
fabrikanten
Over DiGi
Neem contact met ons op
Blogs en Berichten
Aanvraag/offerte
Belgium
Aanmelden
Selectieve Taal
Huidige taal van uw keuze:
Belgium
Schakel:
Engels
Europa
Verenigd Koninkrijk
Frankrijk
Spanje
Turkije
Moldavië
Litouwen
Noorwegen
Duitsland
Portugal
Slowakije
Italië
Finland
Russisch
Bulgarije
Denemarken
Estland
Polen
Oekraïne
Slovenië
Tsjechisch
Grieks
Kroatië
Israël
Servië
Wit-Rusland
Nederland
Zweden
Montenegro
Baskisch
IJsland
Bosnië
Hongaars
Roemenië
Oostenrijk
België
Ierland
Azië / Stille Oceaan
China
Vietnam
Indonesië
Thailand
Laos
Filipijns
Maleisië
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabië
Qatar
Koeweit
Cambodja
Myanmar
Afrika, India en het Midden-Oosten
Verenigde Arabische Emiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
India
Iran
DR Congo
Zuid-Afrika
Egypte
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesië
Zuid-Amerika / Oceanië
Nieuw-Zeeland
Angola
Brazilië
Mozambique
Peru
Colombia
Chili
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentinië
Paraguay
Australië
Noord-Amerika
Verenigde Staten
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexico
Over DiGi
Over ons
Over ons
Onze Certificeringen
DiGi Introductie
Waarom DiGi
Beleid
Kwaliteitsbeleid
Gebruiksvoorwaarden
RoHS-naleving
Retourproces
Hulpbronnen
Productcategorieën
fabrikanten
Blogs en Berichten
Diensten
Kwaliteitsgarantie
Betaalmethode
Wereldwijde Verzending
Verzendtarieven
Veelgestelde vragen
Fabrikant Productnummer:
SQM120N10-3M8_GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SQM120N10-3M8_GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Voorraad:
300 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12918176
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
*
Bedrijf
*
Contactnaam
*
Telefoon
*
E-mail
Leveringsadres
Bericht
(
*
) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SQM120N10-3M8_GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
7230 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
375W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Graad
Automotive
Kwalificatie
AEC-Q101
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-263 (D2PAK)
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
SQM120
Datasheet & Documenten
Technische fiches
SQM120N10-3M8
Datasheets
SQM120N10-3M8_GE3
HTML Gegevensblad
SQM120N10-3M8_GE3-DG
Aanvullende informatie
Standaard pakket
800
Andere namen
SQM120N10-3M8_GE3DKR
SQM120N10-3M8_GE3-DG
SQM120N10-3M8_GE3CT
SQM120N10-3M8_GE3TR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
IPB049N08N5ATMA1
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
1859
DEELNUMMER
IPB049N08N5ATMA1-DG
EENHEIDSPRIJS
0.92
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
BUK765R0-100E,118
Fabrikant
Nexperia USA Inc.
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
15619
DEELNUMMER
BUK765R0-100E,118-DG
EENHEIDSPRIJS
1.73
SUBSTITUTIE TYPE
Direct
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
PSMN014-80YLX
MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
SI6415DQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP
SQJ840EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
SIHP105N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB