Fabrikant Productnummer:
SIRA20BDP-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIRA20BDP-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 25 V 82A (Ta), 335A (Tc) 6.3W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Voorraad:
10195 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12948261
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIRA20BDP-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET® Gen IV
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
25 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
82A (Ta), 335A (Tc)
Rds aan (max) @ id, vgs
0.58mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
186 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
+16V, -12V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
9950 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
6.3W (Ta), 104W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SO-8
Pakket / Doos
PowerPAK® SO-8
Basis productnummer
SIRA20
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
742-SIRA20BDP-T1-GE3TR
742-SIRA20BDP-T1-GE3DKR
742-SIRA20BDP-T1-GE3CT
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
Vendor Undefined
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SI7469ADP-T1-RE3
MOSFET P-CH 80V 7.4A/46A PPAK
SIR681DP-T1-RE3
MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
SQJ147ELP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8
