Fabrikant Productnummer:
SIS176LDN-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIS176LDN-T1-GE3-DG
Beschrijving:
N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 70 V 12.9A (Ta), 42.3A (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Voorraad:
19887 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12950360
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIS176LDN-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET® Gen IV
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
70 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
3.3V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
10.9mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±12V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1660 pF @ 35 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.6W (Ta), 39W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® 1212-8
Pakket / Doos
PowerPAK® 1212-8
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
742-SIS176LDN-T1-GE3TR
742-SIS176LDN-T1-GE3DKR
742-SIS176LDN-T1-GE3CT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SIR510DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
SISH536DN-T1-GE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
SIHP080N60E-GE3
E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
