Fabrikant Productnummer:
SIS626DN-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIS626DN-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 25V 16A PPAK1212-8
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 25 V 16A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Voorraad:
12786279
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIS626DN-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
-
Reeks
-
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
25 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
2.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±12V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1925 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
52W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® 1212-8
Pakket / Doos
PowerPAK® 1212-8
Basis productnummer
SIS626
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
SISH112DN-T1-GE3
Fabrikant
Vishay Siliconix
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
5870
DEELNUMMER
SISH112DN-T1-GE3-DG
EENHEIDSPRIJS
0.51
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SIHG17N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC
SIR108DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 12.4A/45A PPAK
SQD50N04-09H-GE3
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
