Fabrikant Productnummer:
SISS26LDN-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SISS26LDN-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 60V 23.7A/81.2A PPAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 60 V 23.7A (Ta), 81.2A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Voorraad:
4119 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12787662
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SISS26LDN-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET® Gen IV
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
23.7A (Ta), 81.2A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
4.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1980 pF @ 30 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
4.8W (Ta), 57W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® 1212-8S
Pakket / Doos
PowerPAK® 1212-8S
Basis productnummer
SISS26
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SISS26LDN-T1-GE3CT
SISS26LDN-T1-GE3DKR
SISS26LDN-T1-GE3TR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SIS778DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
SISA40DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 43.7A/162A PPAK
SIHG80N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
