Fabrikant Productnummer:
SISS76LDN-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SISS76LDN-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 70 V 19.6A (Ta), 67.4A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Voorraad:
12945157
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SISS76LDN-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET® Gen IV
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
70 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
19.6A (Ta), 67.4A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
3.3V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
6.25mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
33.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±12V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2780 pF @ 35 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
4.8W (Ta), 57W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® 1212-8SH
Pakket / Doos
PowerPAK® 1212-8SH
Basis productnummer
SISS76
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
742-SISS76LDN-T1-GE3DKR
742-SISS76LDN-T1-GE3CT
742-SISS76LDN-T1-GE3TR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
Vendor Undefined
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SIHB11N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK
SIR826LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK
SQ2318BES-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
