Fabrikant Productnummer:
VQ1001P-2
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
VQ1001P-2-DG
Beschrijving:
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
Gedetailleerde Beschrijving:
Mosfet Array 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP
Voorraad:
12787764
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
VQ1001P-2 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, FET, MOSFET-arrays
Fabrikant
Vishay
Verpakking
-
Reeks
-
Toestand van het product
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuratie
4 N-Channel
FET-functie
Logic Level Gate
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
830mA
Rds aan (max) @ id, vgs
1.75Ohm @ 200mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
110pF @ 15V
Vermogen - Max
2W
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Pakket / Doos
-
Leverancier Device Pakket
14-DIP
Basis productnummer
VQ1001
Aanvullende informatie
Standaard pakket
25
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
RoHS non-compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SIZ918DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 16A 8PWRPAIR
VQ1001P-E3
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
SIZ328DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 25V 8PWR33
