2N6661JTXP02
Fabrikant Productnummer:

2N6661JTXP02

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

2N6661JTXP02-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 90 V 860mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-39

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online
13050300
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

2N6661JTXP02 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
-
Reeks
-
Verpakking
Tube
Status van onderdeel
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
90 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
860mA (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
50 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-39
Pakket / Doos
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Basis productnummer
2N6661

Aanvullende informatie

Standaard pakket
20

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
RoHS non-compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
2N6661
Fabrikant
Solid State Inc.
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
6694
DEELNUMMER
2N6661-DG
EENHEIDSPRIJS
4.60
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
vishay

IRF610STRRPBF

MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK

vishay

IRF840SPBF

MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

vishay

IRF540STRRPBF

MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK

vishay

IRF840ASTRR

MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK