Fabrikant Productnummer:
SI3812DV-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SI3812DV-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 20V 2A 6TSOP
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 20 V 2A (Ta) 830mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Voorraad:
13060452
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SI3812DV-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
-
Reeks
LITTLE FOOT®
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Status van onderdeel
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
20 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
2.5V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±12V
FET-functie
Schottky Diode (Isolated)
Vermogensdissipatie (max.)
830mW (Ta)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
6-TSOP
Pakket / Doos
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Basis productnummer
SI3812
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SI2328DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
SIR626LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
SQD50034E_GE3
MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA
