SISS4402DN-T1-GE3
Fabrikant Productnummer:

SISS4402DN-T1-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SISS4402DN-T1-GE3-DG

Beschrijving:

N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 40 V 35.5A (Ta), 128A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S

Voorraad:

11900 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13374278
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SISS4402DN-T1-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Status van onderdeel
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
40 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
35.5A (Ta), 128A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
2.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
+20V, -16V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
3850 pF @ 20 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® 1212-8S
Pakket / Doos
PowerPAK® 1212-8S
Basis productnummer
SISS4402

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
742-SISS4402DN-T1-GE3CT
742-SISS4402DN-T1-GE3DKR
742-SISS4402DN-T1-GE3TR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay

SISS5623DN-T1-GE3

P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE

taiwan-semiconductor

TSM10ND65CI

650V, 10A, SINGLE N-CHANNEL POW

taiwan-semiconductor

TSM70N900CI

700V, 4.5A, SINGLE N-CHANNEL POW

taiwan-semiconductor

TSM043NB04LCZ

40V, 124A, SINGLE N-CHANNEL POWE