FQP12N60C

Fabrikant Productnummer:

FQP12N60C

Product Overview

Fabrikant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

FQP12N60C-DG

Beschrijving:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Gedetailleerde Beschrijving:

N-Channel 600 V 12A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220-3

Voorraad:

4340 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad

12946769

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

FQP12N60C Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant

Verpakking

Bulk

Reeks

QFET®

Toestand van het product

Active

Soort FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

600 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

12A (Tc)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)

10V

Rds aan (max) @ id, vgs

650mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

63 nC @ 10 V

Vgs (Max.)

±30V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

2290 pF @ 25 V

FET-functie

-

Vermogensdissipatie (max.)

225W (Tc)

Werkende Temperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type montage

Through Hole

Leverancier Device Pakket

TO-220-3

Pakket / Doos

TO-220-3

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket

166

Andere namen

FAIFSCFQP12N60C

2156-FQP12N60C

Milieu- en Exportclassificatie

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8542.39.0001

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

international-rectifier

IRF2805PBF

IRF2805 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FQI5N60CTU

MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK

fairchild-semiconductor

FQP3P20

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FQA44N30

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4