Fabrikant Productnummer:
G2012
Product Overview
Fabrikant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
G2012-DG
Beschrijving:
N20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<18
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 20 V 12A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount 6-DFN (2x2)
Voorraad:
2994 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13000377
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
G2012 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Goford Semiconductor
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
20 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
2.5V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
12mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1255 pF @ 10 V
FET-functie
Standard
Vermogensdissipatie (max.)
1.5W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
6-DFN (2x2)
Pakket / Doos
6-WDFN Exposed Pad
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
3141-G2012DKR
4822-G2012TR
3141-G2012TR
3141-G2012CT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
DMP4065SK3-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R
GC11N65M
N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
SQJA72EP-T1_BE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
