Fabrikant Productnummer:
IPB017N08N5ATMA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPB017N08N5ATMA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Voorraad:
1367 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12801600
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPB017N08N5ATMA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
OptiMOS™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
80 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
6V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 280µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
223 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
16900 pF @ 40 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
375W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TO263-3
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
IPB017
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1,000
Andere namen
2156-IPB017N08N5ATMA1
IPB017N08N5ATMA1CT
IFEINFIPB017N08N5ATMA1
SP001132472
IPB017N08N5ATMA1TR
IPB017N08N5ATMA1DKR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
BSS83PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
IPI024N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
IPP030N10N5AKSA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
