R6086YNZ4C13
Fabrikant Productnummer:

R6086YNZ4C13

Product Overview

Fabrikant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

R6086YNZ4C13-DG

Beschrijving:

NCH 600V 86A, TO-247, POWER MOSF
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 86A (Tc) 781W (Tc) Through Hole TO-247G

Voorraad:

568 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13001156
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

R6086YNZ4C13 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
ROHM Semiconductor
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
86A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V, 12V
Rds aan (max) @ id, vgs
44mOhm @ 17A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 4.6mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
5100 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
781W (Tc)
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-247G
Pakket / Doos
TO-247-3
Basis productnummer
R6086

Datasheet & Documenten

Technische fiches
R6086YNZ4

Aanvullende informatie

Standaard pakket
30
Andere namen
846-R6086YNZ4C13

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
transphorm

TP65H070LDG-TR

650 V 25 A GAN FET

vishay-siliconix

SIRS5800DP-T1-GE3

N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE

vishay-siliconix

SQA409CEJW-T1_GE3

AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)

vishay-siliconix

SUM70042M-GE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET D2P