Fabrikant Productnummer:
SIRS5800DP-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIRS5800DP-T1-GE3-DG
Beschrijving:
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 80 V 46A (Ta), 265A (Tc) 7.4W (Ta), 240W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Voorraad:
13001161
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIRS5800DP-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
80 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
46A (Ta), 265A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
7.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
6190 pF @ 40 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
7.4W (Ta), 240W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SO-8
Pakket / Doos
PowerPAK® SO-8
Basis productnummer
SIRS5800
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
742-SIRS5800DP-T1-GE3TR
742-SIRS5800DP-T1-GE3DKR
742-SIRS5800DP-T1-GE3CT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SQA409CEJW-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
SUM70042M-GE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET D2P
SI1480BDH-T1-GE3
N-CHNNEL 100-V (D-S) MOSFET SC70
