TP65H070LDG-TR
Fabrikant Productnummer:

TP65H070LDG-TR

Product Overview

Fabrikant:

Transphorm

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

TP65H070LDG-TR-DG

Beschrijving:

650 V 25 A GAN FET
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 25A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)

Voorraad:

1651 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13001158
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

TP65H070LDG-TR Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Transphorm
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TP65H070L
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
85mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 700µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
600 pF @ 400 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
96W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
3-PQFN (8x8)
Pakket / Doos
3-PowerDFN

Datasheet & Documenten

Technische fiches
TP65H070L Datasheet

Aanvullende informatie

Standaard pakket
500
Andere namen
1707-TP65H070LDG-TR
1707-TP65H070LDG-TRDKR
1707-TP65H070LDG-TRCT

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
3 (168 Hours)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SIRS5800DP-T1-GE3

N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE

vishay-siliconix

SQA409CEJW-T1_GE3

AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)

vishay-siliconix

SUM70042M-GE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET D2P

vishay-siliconix

SI1480BDH-T1-GE3

N-CHNNEL 100-V (D-S) MOSFET SC70