TK35N65W5,S1F
Fabrikant Productnummer:

TK35N65W5,S1F

Product Overview

Fabrikant:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

TK35N65W5,S1F-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 35A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-247

Voorraad:

26 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12890503
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
uzf8
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

TK35N65W5,S1F Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpakking
Tube
Reeks
DTMOSIV
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
35A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
95mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 2.1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
4100 pF @ 300 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
270W (Tc)
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-247
Pakket / Doos
TO-247-3
Basis productnummer
TK35N65

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
30
Andere namen
TK35N65W5S1F
TK35N65W5,S1F(S
TK35N65W5,S1F-DG

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
IXFX64N60P3
Fabrikant
IXYS
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
1060
DEELNUMMER
IXFX64N60P3-DG
EENHEIDSPRIJS
8.28
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DEELNUMMER
IPW60R075CPFKSA1
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
240
DEELNUMMER
IPW60R075CPFKSA1-DG
EENHEIDSPRIJS
6.48
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DEELNUMMER
IPW60R070P6XKSA1
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
240
DEELNUMMER
IPW60R070P6XKSA1-DG
EENHEIDSPRIJS
3.70
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DEELNUMMER
SIHG40N60E-GE3
Fabrikant
Vishay Siliconix
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
809
DEELNUMMER
SIHG40N60E-GE3-DG
EENHEIDSPRIJS
3.34
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DEELNUMMER
SPW55N80C3FKSA1
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
450
DEELNUMMER
SPW55N80C3FKSA1-DG
EENHEIDSPRIJS
8.44
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
toshiba-semiconductor-and-storage

TPC8031-H(TE12LQM)

MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP

diodes

DMN3009LFVW-13

MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

toshiba-semiconductor-and-storage

TK20S04K3L(T6L1,NQ

MOSFET N-CH 40V 20A DPAK

toshiba-semiconductor-and-storage

TPC8109(TE12L)

MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP