Fabrikant Productnummer:
SIE882DF-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIE882DF-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 25V 60A 10POLARPAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 25 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Voorraad:
160 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12787019
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIE882DF-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Last Time Buy
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
25 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
6400 pF @ 12.5 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
10-PolarPAK® (L)
Pakket / Doos
10-PolarPAK® (L)
Basis productnummer
SIE882
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SIE882DF-T1-GE3CT-DG
SIE882DF-T1-GE3DKR
SIE882DF-T1-GE3DKR-DG
SIE882DF-T1-GE3-DG
SIE882DF-T1-GE3TR
SIE882DF-T1-GE3TR-DG
742-SIE882DF-T1-GE3TR
742-SIE882DF-T1-GE3DKR
SIE882DF-T1-GE3CT
742-SIE882DF-T1-GE3CT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Affected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SIHG40N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
SIHH100N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 28A PPAK 8 X 8
SIJ800DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8
