Fabrikant Productnummer:
SIHP6N80AE-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIHP6N80AE-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 800V 5A TO220AB
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 800 V 5A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voorraad:
961 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12987336
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIHP6N80AE-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tube
Reeks
E
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
800 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Rds aan (max) @ id, vgs
950mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
22.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
422 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
62.5W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220AB
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
SIHP6
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Andere namen
742-SIHP6N80AE-GE3
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
Vendor Undefined
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
GT035N06T
MOSFET N-CH 60V 170A TO-220
DMN3069L-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
NP88N04NUG-S18-AY
NP88N04NUG-S18-AY - MOS FIELD EF
