Fabrikant Productnummer:
SIZF906ADT-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIZF906ADT-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8POWERPAIR
Gedetailleerde Beschrijving:
Mosfet Array 30V 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc) 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
Voorraad:
12787748
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIZF906ADT-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, FET, MOSFET-arrays
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET® Gen IV
Toestand van het product
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuratie
2 N-Channel (Dual), Schottky
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
Rds aan (max) @ id, vgs
3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
49nC @ 10V, 200nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Vermogen - Max
4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
8-PowerWDFN
Leverancier Device Pakket
8-PowerPair® (6x5)
Basis productnummer
SIZF906
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SIZF906ADT-T1-GE3DKR
SIZF906ADT-T1-GE3CT
SIZF906ADT-T1-GE3TR
2266-SIZF906ADT-T1-GE3TR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
VQ1001P-2
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
SIZ918DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 16A 8PWRPAIR
VQ1001P-E3
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
