Fabrikant Productnummer:
SQJ412EP-T1_GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SQJ412EP-T1_GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 40 V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Voorraad:
24798 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12916561
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SQJ412EP-T1_GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
40 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
5950 pF @ 20 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
83W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Graad
Automotive
Kwalificatie
AEC-Q101
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SO-8
Pakket / Doos
PowerPAK® SO-8
Basis productnummer
SQJ412
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SQJ412EP-T1_GE3DKR
SQJ412EP-T1-GE3TR-DG
SQJ412EP-T1-GE3-DG
SQJ412EP-T1-GE3CT-DG
SQJ412EP-T1-GE3
SQJ412EPT1GE3
SQJ412EP-T1_GE3TR
SQJ412EP-T1-GE3DKR
SQJ412EP-T1-GE3DKR-DG
SQJ412EP-T1-GE3TR
SQJ412EP-T1-GE3CT
SQJ412EP-T1_GE3CT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SUD40N04-10A-E3
MOSFET N-CH 40V 40A TO252
SQ4435EY-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC
SIDR680DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK
