Fabrikant Productnummer:
SI4190BDY-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SI4190BDY-T1-GE3-DG
Beschrijving:
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET SO-
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 12A (Ta), 17A (Tc) 3.8W (Ta), 8.4W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Voorraad:
8858 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13374259
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SI4190BDY-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Status van onderdeel
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
12A (Ta), 17A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
9.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
4150 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.8W (Ta), 8.4W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
8-SOIC
Pakket / Doos
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis productnummer
SI4190
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,500
Andere namen
742-SI4190BDY-T1-GE3CT
742-SI4190BDY-T1-GE3DKR
742-SI4190BDY-T1-GE3TR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SIRS4301DP-T1-GE3
P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
SISS4402DN-T1-GE3
N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
SISS5623DN-T1-GE3
P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
