Fabrikant Productnummer:
SIRS4302DP-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIRS4302DP-T1-GE3-DG
Beschrijving:
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 30 V 87A (Ta), 478A (Tc) 6.9W (Ta), 208W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Voorraad:
11964 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13374108
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIRS4302DP-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Status van onderdeel
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
87A (Ta), 478A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
0.57mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
+20V, -16V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
10150 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
6.9W (Ta), 208W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SO-8
Pakket / Doos
PowerPAK® SO-8
Basis productnummer
SIRS4302
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
742-SIRS4302DP-T1-GE3TR
742-SIRS4302DP-T1-GE3CT
742-SIRS4302DP-T1-GE3DKR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
TSM60NB380CH
600V, 9.5A, SINGLE N-CHANNEL POW
TSM60NB1R4CH
600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER
SI4190BDY-T1-GE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET SO-