Fabrikant Productnummer:
TSM60NB1R4CH
Product Overview
Fabrikant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
TSM60NB1R4CH-DG
Beschrijving:
600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 28.4W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Voorraad:
13374221
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
TSM60NB1R4CH Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Taiwan Semiconductor
Verpakking
Tube
Reeks
-
Verpakking
Tube
Status van onderdeel
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.4Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
7.12 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
257.3 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
28.4W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-251 (IPAK)
Pakket / Doos
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis productnummer
TSM60
Aanvullende informatie
Standaard pakket
15,000
Andere namen
1801-TSM60NB1R4CH
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
STU6N65M2
Fabrikant
STMicroelectronics
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
543
DEELNUMMER
STU6N65M2-DG
EENHEIDSPRIJS
0.44
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SI4190BDY-T1-GE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET SO-
SIRS4301DP-T1-GE3
P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
SISS4402DN-T1-GE3
N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE