FQI4N80TU
Fabrikant Productnummer:

FQI4N80TU

Product Overview

Fabrikant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

FQI4N80TU-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 800 V 3.9A (Tc) 3.13W (Ta), 130W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Voorraad:

1550 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12946768
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

FQI4N80TU Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Verpakking
Bulk
Reeks
QFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
800 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
3.6Ohm @ 1.95A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
880 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.13W (Ta), 130W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-262 (I2PAK)
Pakket / Doos
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Datasheet & Documenten

Technische fiches
FQI4N80TU Datasheet

Aanvullende informatie

Standaard pakket
287
Andere namen
FAIFSCFQI4N80TU
2156-FQI4N80TU

Milieu- en Exportclassificatie

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
fairchild-semiconductor

FQP12N60C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

international-rectifier

IRF2805PBF

IRF2805 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FQI5N60CTU

MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK

fairchild-semiconductor

FQP3P20

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2